[发明专利]半导体芯片表面钝化保护的多层薄膜结构、应用及工艺在审
| 申请号： | 201910193476.4 | 申请日： | 2019-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN109920764A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 黄赛琴;黄福仁;刘伯实 | 申请（专利权）人： | 福建安特微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L23/538;H01L21/56;H01L21/768 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 林晓琴 |
| 地址： | 351100 福建省莆*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体芯片表面钝化保护的多层薄膜结构，包括一半导体硅片衬底，所述半导体硅片衬底的表面由下至上依次设置有第一层SiO2钝化层、第二层PSG钝化层、第三层SiO2钝化层、第四层Si3N4钝化层和第五层PI钝化层，半导体硅片衬底完成半导体芯片加工后，在该半导体芯片的表面需要钝化保护的区域形成SiO2‑PSG‑SiO2‑Si3N4‑PI复合结构。本发明还提供一种半导体芯片表面钝化保护的多层薄膜结构的应用和一种半导体芯片表面钝化保护的多层薄膜结构的制备工艺，可获得完美的多层介质复合钝化保护效果，应用本结构的半导体芯片产品稳定性和可靠性达到进口产品质量水平，可满足高端电子产品的市场需求。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化保护 半导体芯片表面 多层薄膜结构 半导体硅片 半导体芯片 钝化层 衬底 应用 产品质量水平 高端电子产品 产品稳定性 多层介质 复合钝化 复合结构 区域形成 市场需求 依次设置 制备工艺 第三层 第一层 进口 加工 | ||
【主权项】：
1.一种半导体芯片表面钝化保护的多层薄膜结构，其特征在于：包括一半导体硅片衬底，所述半导体硅片衬底的表面由下至上依次设置有一第一层SiO2钝化层、一第二层PSG钝化层、一第三层SiO2钝化层、一第四层Si3N4钝化层和一第五层PI钝化层，所述半导体硅片衬底完成半导体芯片加工后，在该半导体芯片的表面需要钝化保护的区域形成SiO2‑PSG‑SiO2‑Si3N4‑PI复合结构。
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