[发明专利]一种薄膜生长系统及生长方法

摘要

本发明涉及一种薄膜生长系统及生长方法，属于材料制备领；包括样品室、大腔室、多个小腔室、中心轴，所述多个小腔室位于所述大腔室内，所述中心轴位于所述大腔室轴中心，所述样品室通过横杆与所述中心轴相连，用于转移所述样品室中的样品，所述样品的转移包括在所述多个小腔室之间转移，和/或，在所述小腔室和所述大腔室之间转移；所述多个小腔室包括第一小腔室和第二小腔室和退火室，所述第一小腔室和所述第二小腔室底部设有可开合通孔；本发明提供的系统同时具有原子层沉积和退火功能，可以制备样品吸附前驱体源温度和反应温度相差较大的薄膜，扩大了原子层沉积设备的应用范围。

主权项

1.一种薄膜生长系统，包括样品室、大腔室、多个小腔室、中心轴，所述多个小腔室位于所述大腔室内，所述中心轴位于所述大腔室轴中心，所述样品室通过横杆与所述中心轴连接，用于转移所述样品室中的样品，所述样品的转移包括在所述多个小腔室之间转移，和/或，在所述小腔室和所述大腔室之间转移；所述多个小腔室包括第一小腔室和第二小腔室和退火室，所述第一小腔室和所述第二小腔室底部设有可开合通孔，用于通入前驱体。