[发明专利]掺杂量子点及其制备方法、量子点光电器件在审
| 申请号： | 201910193712.2 | 申请日： | 2019-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN110003884A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 周健海;邵蕾;余世荣 | 申请（专利权）人： | 纳晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/88;C09K11/70;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L31/0352;H01L51/50 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 胡拥军;糜婧 |
| 地址： | 310052 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掺杂量子点及其制备方法，包括基体材料以及掺杂在基体材料中的掺杂材料，掺杂材料包括至少一种金属氧化物。本发明通过在量子点中掺杂金属氧化物有利于减少量子点生成过程中产生的空位缺陷，从而提高荧光量子产率。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 掺杂 掺杂材料 基体材料 制备 掺杂金属氧化物 荧光量子产率 金属氧化物 光电器件 空位缺陷 | ||
【主权项】：
1.一种掺杂量子点，其特征在于，包括基体材料以及掺杂在所述基体材料中的掺杂材料，所述掺杂材料包括至少一种金属氧化物。
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