[发明专利]芯片内存功耗测量方法、装置、设备及介质有效

专利信息
申请号: 201910194574.X 申请日: 2019-03-14
公开(公告)号: CN109933473B 公开(公告)日: 2022-09-27
发明(设计)人: 赵阳;陈岚 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G06F11/22 分类号: G06F11/22;G06F11/26
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 100029 北京市朝阳*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本申请公开了一种芯片内存功耗测量方法,包括:在晶圆针测阶段,通过运行内存自测试算法生成预设内存活动,所述内存自测试算法包括测试单元序列,所述测试单元序列中的每一个测试单元包含一组内存活动,所述预设内存活动能够模拟正常运行模式下的内存活动;测量所述预设内存活动对应的功耗以确定芯片内存功耗。该方法仅激活芯片中的内存部分,而芯片中的逻辑电路部分仍处于关闭状态,因而测量结果不会受到逻辑电路部分干扰,并且能够对每个芯片均进行测量,而不是在封装后抽检,因而能够克服不同晶圆批次的过程变异带来的测量误差,提高测量精度。本申请还公开了一种芯片内存功耗测量装置、设备及介质。
搜索关键词: 芯片 内存 功耗 测量方法 装置 设备 介质
【主权项】:
1.一种芯片内存功耗测量方法,其特征在于,所述方法包括:在晶圆针测阶段,通过运行内存自测试算法生成预设内存活动,所述内存自测试算法包括测试单元序列,所述测试单元序列中的每一个测试单元包含一组内存活动,所述预设内存活动能够模拟正常运行模式下的内存活动;测量所述预设内存活动对应的功耗以确定芯片内存功耗。
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