[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质

摘要

本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。要解决的课题为，提供在从衬底的侧方供给气体的装置中，在衬底的上游侧和下游侧处实现均匀的膜质的技术。解决手段为衬底处理装置，其具有：衬底载置部，其具有载置衬底的载置面；处理室，其对所述衬底进行处理；气体供给部，其设置于所述处理室的上游、向所述处理室供给气体；排气部，其设置于所述处理室的下游、将所述处理室的气氛排气；和倾斜部，其为所述处理室的一部分，并且在与所述衬底载置面相对的位置处、在从所述衬底载置面的上游侧至下游侧的范围内，所述倾斜部以没有凹凸、孔、且使得所述处理室的截面积逐渐减小的方式连续地构成。