[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201910196118.9 | 申请日： | 2019-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN111696921B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 王德轩;刘轶群 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括提供衬底，所述衬底上具有若干鳍部，各所述鳍部之间的半导体衬底上具有第一绝缘层，所述第一绝缘层顶部低于所述鳍部顶部；在露出所述第一绝缘层表面的所述鳍部的侧壁及顶部表面形成侵蚀层，所述侵蚀层使得露出所述鳍部的厚度缩小；在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述鳍部；去除部分厚度的所述第二绝缘层以及部分侵蚀层，露出部分所述鳍部；刻蚀所述鳍部，形成凹槽，所述凹槽底部低于所述第二绝缘层的顶部。本发明有助于掺杂外延层的生长的更均匀，提高半导体器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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