[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910196130.X | 申请日： | 2019-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN111697073B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 宋春;洪中山;陈文磊;裴明俊;万宇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底；在衬底内形成第一阱区和第二阱区，第二阱区位于第一阱区内，第一阱区和第二阱区的导电类型相反；在衬底上形成栅极结构，栅极结构位于部分第二阱区表面和部分第一阱区表面，栅极结构顶部在衬底的第一阱区表面具有第一投影，栅极结构底部在衬底的第一阱区表面具有第二投影，第一投影在第二投影的范围内；在栅极结构侧壁形成第一侧墙和第二侧墙，第一侧墙位于第一阱区表面上，第二侧墙位于第二阱区表面上；在第一侧墙上形成悬浮插塞，悬浮插塞到第一投影的最小距离大于悬浮插塞到第二投影的最小距离。所形成的半导体结构提升了晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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