[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法与光源结构

摘要

本申请涉及量子点发光二极管及其制备方法与光源结构；量子点发光二极管包括阳极、量子点发光层与阴极；所述量子点发光二极管还包括设于所述阳极与所述量子点发光层之间的混合层，所述混合层包括电子提取材料和空穴传输材料。上述量子点发光二极管，直接从改进QLED结构出发，通过在阳极与量子点发光层之间设置包含电子提取材料的混合层的创新设计，以引走量子点发光层中过量的电子，从根本上改进了电子过多导致量子点充电的难题，减小了量子点发光层的量子点的充电程度，从而促进电荷平衡，且增大了量子点发光层的荧光寿命和辐射复合效率，进而提高QLED的性能和寿命。