[发明专利]一种巨介电、低损耗CCTO基陶瓷材料的制备方法在审
| 申请号： | 201910196693.9 | 申请日： | 2019-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN109734437A | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 曾和平;黄延伟 | 申请（专利权）人： | 上海朗研光电科技有限公司;华东师范大学 |
| 主分类号： | C04B35/462 | 分类号： | C04B35/462;C04B35/622;C04B35/624;C04B35/626 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200237 上海市闵行区虹*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种巨介电、低损耗CCTO基陶瓷材料的制备方法，其包括如下步骤：将前驱物原料溶解于溶剂中，得到前驱物溶胶；将所述前驱物溶胶静置干燥后，得到干凝胶；将所述干凝胶研磨成细粉后，再烘干研磨，得到CCTO基陶瓷材料的前驱物；将所述CCTO基陶瓷材料的前驱物置于铜坩埚中，进行激光辐照后，除去溶剂，得到CCTO基陶瓷粉末；将所述CCTO基陶瓷粉末压实成型，进行激光烧结，得到所述巨介电、低损耗CCTO基陶瓷材料。与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：此法制备的陶瓷材料的介电常数可达104以上，该制备方法成本低廉、快速高效，适合CCTO巨介电材料在高密度存储器件中的大范围应用。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷材料 制备 低损耗 前驱物 介电 前驱物溶胶 陶瓷粉末 研磨 干凝胶 溶剂 高密度存储器件 巨介电材料 激光辐照 激光烧结 介电常数 静置干燥 原料溶解 铜坩埚 烘干 细粉 压实 成型 应用 | ||
【主权项】：
1.一种巨介电、低损耗CCTO基陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将前驱物原料溶解于溶剂中，得到前驱物溶胶；将所述前驱物溶胶静置干燥后，得到干凝胶；将所述干凝胶研磨成细粉后，再烘干研磨，得到CCTO基陶瓷材料的前驱物；将所述CCTO基陶瓷材料的前驱物置于铜坩埚中，进行激光辐照后，除去溶剂，得到CCTO基陶瓷粉末；将所述CCTO基陶瓷粉末压实成型，进行激光烧结，得到所述巨介电、低损耗CCTO基陶瓷材料。
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