[发明专利]包括堆叠结构的半导体器件有效
| 申请号： | 201910196960.2 | 申请日： | 2019-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN110323226B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 白石千;金甫昌;闵忠基;朴志勋;俞炳瓘 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/27;H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：下栅电极，位于衬底上并彼此间隔开；上栅电极，位于下栅电极之上并彼此间隔开；R型焊盘，从下栅电极或上栅电极当中的至少一个电极的一端延伸，并具有比连接到该R型焊盘的下栅电极或上栅电极大的厚度；以及P型焊盘，从下栅电极或上栅电极当中的没有连接到R型焊盘的至少一个电极的一端延伸，并具有与R型焊盘不同的厚度，其中P型焊盘包括连接到下栅电极当中的最上面的下栅电极的第一焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 堆叠 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：下栅电极，位于衬底上并在垂直方向上彼此间隔开；上栅电极，位于所述下栅电极之上并在所述垂直方向上彼此间隔开；R型焊盘，从所述下栅电极或所述上栅电极当中的至少一个电极的一端延伸，并具有比连接到所述R型焊盘的所述下栅电极或所述上栅电极的厚度大的厚度；以及P型焊盘，从所述下栅电极或所述上栅电极当中的没有与所述R型焊盘连接的至少一个电极的一端延伸，并具有与所述R型焊盘不同的厚度，其中所述P型焊盘包括连接到所述下栅电极当中的最上面的下栅电极的第一焊盘。
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