[发明专利]半导体纳米材料电极的制备及应用

摘要

本发明公开了半导体纳米材料电极的制备及应用，1、方法步骤如下：S11：TGA稳定的CdS NCs的制备：将CdCl2溶液和TGA加入容器中，在氮氛搅拌20‑40min，同时用NaOH溶液调节混合液的pH至7‑13，最后加入Na2S溶液，在氮氛下105‑115℃加热回流3‑5h；S12：CdS NCs/TiO2 NTs电极的制备；S13：CdS NCs/TiO2 NTs电极的活化：将所述S2制备的CdS NCs/TiO2 NTs电极浸泡在活化液中，35‑39℃轻微震荡14‑18h，活化后用超纯水进行洗涤，即得到半导体纳米材料电极；本发明制得的CdS NCs/TiO2 NTs电极可作为ECL探针用于检测H2O2浓度，且该探针的线性范围较宽为50nM到500μM，且重现性和稳定性良好。

主权项

1.半导体纳米材料电极的制备，其特征在于，方法步骤如下：S11：TGA稳定的CdS NCs的制备：将CdCl₂溶液和TGA加入容器中，在氮氛搅拌20‑40min，同时用NaOH溶液调节混合液的pH至7‑13，最后加入Na₂S溶液，在氮氛下105‑115℃加热回流3‑5h；S12：CdS NCs/TiO₂ NTs电极的制备：(1)将剪裁好的钛片依次在乙醇和超纯水中超声清洗，除去表面吸附的杂质；(2)将步骤(1)中的钛片在氢氟酸、硝酸和水混合液中超声清洗1‑3min，除去表面的氧化层；(3)将步骤(2)中酸洗后的钛片依次在乙醇和水中各超声4‑6min，氮气吹干待用；(4)将步骤(3)得到的干净的钛片浸入到含有0.4‑0.6％wt的氢氟酸溶液中，在15‑25V直流电压下，以钛片为阳极、铂片为阴极，两电极之间的距离控制在2‑4cm，室温下阳极氧化1.5‑3.5h；(5)将步骤(4)氧化后的钛片在超纯水中超声清洗后，再氮气吹干，最后放入马弗炉中，在空气气氛中400‑600℃下煅烧40‑80min，制得排列整体的TiO₂ NTs电极；(6)将步骤(5)中的TiO₂ NTs电极用PBS缓冲液冲洗后浸入ξ电势为6.27mV的2％PDDA溶液中，静置4‑6min，取出后用水洗涤；再放入ξ电势为‑16.6mV的CdS NCs溶液中4‑6min，取出后用水洗涤；(7)重复步骤(6)2‑4次即得CdS NCs/TiO₂ NTs电极；S13：CdS NCs/TiO₂ NTs电极的活化：将所述S2制备的CdS NCs/TiO₂ NTs电极浸泡在活化液中，35‑39℃轻微震荡14‑18h，活化后用超纯水进行洗涤，即得到半导体纳米材料电极。