[发明专利]一种阵列基板及其制造方法和显示面板在审
申请号: | 201910197080.7 | 申请日: | 2019-03-15 |
公开(公告)号: | CN109979946A | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 卓恩宗;杨凤云;莫琼花;张勇 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 邢涛 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法和显示面板。阵列基板的制造方法包括步骤:形成基底层;在所述基底层上形成半导体层;在所述半导体层上形成金属层,所述金属层的上表面含有第一氮化物或者第一氧化物;将所述金属层蚀刻成源漏极;在所述源漏极上形成钝化层,所述钝化层为与所述第一氮化物对应设置的第二氮化物结构,或与所述第一氧化物对应设置的第二氧化物结构。本申请的源漏极中含有氮化钼,当由氮化物材料构成的钝化层沉积在源漏极上时,两种含氮结构会产生吸附力,从而使钝化层在源漏极上贴合更加紧密,在蚀刻钝化层时,与源漏极贴合的钝化层部分会蚀刻较慢,从而改善钝化层的钻蚀现象。 | ||
搜索关键词: | 钝化层 源漏极 阵列基板 金属层 蚀刻 半导体层 显示面板 氮化物 基底层 氧化物 贴合 制造 氮化物材料 氮化物结构 蚀刻钝化层 氧化物结构 氮化钼 上表面 吸附力 成源 漏极 钻蚀 沉积 申请 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,包括步骤:形成基底层;在所述基底层上形成半导体层;在所述半导体层上形成金属层,所述金属层的上表面含有第一氮化物或者第一氧化物;将所述金属层蚀刻成源漏极;在所述源漏极上形成钝化层,所述钝化层为与所述第一氮化物对应设置的第二氮化物结构,或与所述第一氧化物对应设置的第二氧化物结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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