[发明专利]一种阵列基板及其制造方法和显示面板在审

专利信息
申请号: 201910197080.7 申请日: 2019-03-15
公开(公告)号: CN109979946A 公开(公告)日: 2019-07-05
发明(设计)人: 卓恩宗;杨凤云;莫琼花;张勇 申请(专利权)人: 惠科股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;G02F1/1362
代理公司: 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 代理人: 邢涛
地址: 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种阵列基板及其制造方法和显示面板。阵列基板的制造方法包括步骤:形成基底层;在所述基底层上形成半导体层;在所述半导体层上形成金属层,所述金属层的上表面含有第一氮化物或者第一氧化物;将所述金属层蚀刻成源漏极;在所述源漏极上形成钝化层,所述钝化层为与所述第一氮化物对应设置的第二氮化物结构,或与所述第一氧化物对应设置的第二氧化物结构。本申请的源漏极中含有氮化钼,当由氮化物材料构成的钝化层沉积在源漏极上时,两种含氮结构会产生吸附力,从而使钝化层在源漏极上贴合更加紧密,在蚀刻钝化层时,与源漏极贴合的钝化层部分会蚀刻较慢,从而改善钝化层的钻蚀现象。
搜索关键词: 钝化层 源漏极 阵列基板 金属层 蚀刻 半导体层 显示面板 氮化物 基底层 氧化物 贴合 制造 氮化物材料 氮化物结构 蚀刻钝化层 氧化物结构 氮化钼 上表面 吸附力 成源 漏极 钻蚀 沉积 申请
【主权项】:
1.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,包括步骤:形成基底层;在所述基底层上形成半导体层;在所述半导体层上形成金属层,所述金属层的上表面含有第一氮化物或者第一氧化物;将所述金属层蚀刻成源漏极;在所述源漏极上形成钝化层,所述钝化层为与所述第一氮化物对应设置的第二氮化物结构,或与所述第一氧化物对应设置的第二氧化物结构。
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