[发明专利]具有非对称镜像布局模拟单元的集成电路在审
申请号: | 201910197192.2 | 申请日: | 2019-03-15 |
公开(公告)号: | CN110277385A | 公开(公告)日: | 2019-09-24 |
发明(设计)人: | 杨宇滔;周文昇;彭永州 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 龚诗靖 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明实施例涉及具有非对称镜像布局模拟单元的集成电路。根据本发明的一些实施例,在第一集成电路列中,第一单元有源区域顶部边缘与第一阻障线分隔开第一分隔距离,第一单元有源区域底部边缘与第二阻障线分隔开第二分隔距离,第二单元有源区域顶部边缘与第三阻障线分隔开所述第二分隔距离,且第二有源区域底部边缘与第四阻障线分隔开所述第一分隔距离。在第二列中,第三单元有源区域顶部边缘与第五阻障线分隔开所述第一距离,且第三单元有源区域底部边缘与第六阻障线分隔开第三距离。所述第一分隔距离和所述第三分隔距离不同于所述第二分隔距离。所述第一阻障线与所述第五阻障线对准。 | ||
搜索关键词: | 分隔距离 源区域 分隔 底部边缘 顶部边缘 集成电路 模拟单元 非对称 线对准 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路,其包括:第一单元,其在第一列中,所述第一单元具有在第一方向上的第一长度、在第一单元顶部末端处的第一阻障线、在第一单元底部末端处的第二阻障线、在所述第一阻障线与所述第二阻障线之间的第一单元有源区域、在所述第一单元有源区域的顶部边缘与所述第一阻障线之间的第一分隔距离,和在所述第一单元有源区域的底部边缘与所述第二阻障线之间的第二分隔距离;第二单元,其在所述第一列中,所述第二单元具有在所述第一方向上的所述第一长度、在第二单元顶部末端处的第三阻障线、在第二单元底部末端处的第四阻障线,和在所述第三阻障线与所述第四阻障线之间的第二单元有源区域、在所述第二单元有源区域的顶部边缘与所述第三阻障线之间的所述第二分隔距离,和在所述第二单元有源区域的底部边缘与所述第四阻障线之间的所述第一分隔距离;第三单元,其在不同于所述第一列的一第二列中,其中所述第三单元具有:在所述第一方向上的第二长度,所述第二长度不同于所述第一长度;在第三单元顶部末端处的第五阻障线;在第三单元底部末端处的第六阻障线;和在所述第五阻障线与所述第六阻障线之间的第三单元有源区域;在所述第三单元有源区域的顶部边缘与所述第五阻障线之间的所述第一分隔距离;和在所述第三单元有源区域的底部边缘与所述第六阻障线之间的第三分隔距离,其中所述第一分隔距离和所述第三分隔距离不同于所述第二分隔距离,所述第一阻障线在所述第一方向上与所述第五阻障线对准,且所述第四阻障线在所述第一方向上与所述第六阻障线对准。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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