[发明专利]可降低电学串扰的单光子探测器阵列及制备方法有效

专利信息
申请号: 201910197797.1 申请日: 2019-03-15
公开(公告)号: CN109935639B 公开(公告)日: 2021-01-08
发明(设计)人: 刘凯宝;杨晓红;王晖;何婷婷;李志鹏 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 刘歌
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种可降低电学串扰的单光子探测器阵列及制备方法。该单光子探测器阵列包括外延片和形成在外延片正面上的钝化层;其中,钝化层上设有若干像元P电极窗口和若干隔离区电极窗口,所述隔离区电极窗口位于相邻的两个所述像元P电极窗口之间;每个像元P电极窗口内均设有像元P电极,每个隔离区电极窗口内均设有隔离区电极;外延片上与所述钝化层相邻一侧形成有有源扩散区和扩散隔离区,其中有源扩散区与像元P电极相邻,扩散隔离区与隔离区电极相邻。本发明的单光子探测器阵列可有效实现对近红外波段微弱光的探测,降低SPAD阵列像元之间的串扰,可完全避免电学串扰,实现SPAD阵列像元之间的高度隔离。
搜索关键词: 降低 电学 光子 探测器 阵列 制备 方法
【主权项】:
1.一种单光子探测器阵列,其特征在于,包括外延片和形成在外延片正面上的钝化层(2);其中,所述钝化层(2)上设有若干像元P电极窗口(201)和若干隔离区电极窗口(203),所述隔离区电极窗口(203)位于相邻的两个所述像元P电极窗口(201)之间;每个像元P电极窗口(201)内均设有像元P电极(202),每个隔离区电极窗口(203)内均设有隔离区电极(204);所述外延片上与所述钝化层(2)相邻一侧形成有有源扩散区(302)和扩散隔离区(304),其中所述有源扩散区(302)与所述像元P电极(202)相邻,所述扩散隔离区(304)与所述隔离区电极(204)相邻;所述外延片背面设有N电极(4)和透光装置。
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