[发明专利]改良的鳍式场效晶体管(FinFET)及其制造方法有效
| 申请号： | 201910198615.2 | 申请日： | 2019-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN110556426B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 臧辉;王振裕;L·埃克诺米科思 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及改良的鳍式场效晶体管(FinFET)及其制造方法，提供形成有缩减宽度且与邻近鳍片有增加距离的CT柱的方法以及所产生的装置。数个具体实施例包括：提供在一氧化物层中的第一对鳍片与第二对鳍片，其中，该第一对鳍片及该第二对鳍片包括硅；以及形成一CT柱，其包括在该第一对及该第二对鳍片之间且在该氧化物层的一部分上方的SiN，其中，该CT柱的宽度与该CT柱、该第一对鳍片及该第二对鳍片之间的距离成反比。 | ||
| 搜索关键词： | 改良 鳍式场效 晶体管 finfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包含：/n第一对鳍片与第二对鳍片，在一氧化物层中，其中，该第一对鳍片及该第二对鳍片包含硅(Si)；以及/n栅极切割(CT)柱，包含在该第一对鳍片及该第二对鳍片之间且在该氧化物层的一部分上方的氮化硅(SiN)，其中，该CT柱的宽度与该CT柱、该第一对鳍片及该第二对鳍片之间的距离成反比。/n
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