[发明专利]场效应管的制作方法及场效应管在审
| 申请号： | 201910202715.8 | 申请日： | 2019-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN109904219A | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 徐秋霞;胡正明;陈凯 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯 |
| 地址： | 201899 上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种场效应管的制作方法及场效应管，方法包括：在衬底上形成N型和P型MOSFET区域；在所述MOSFET区域形成硬掩膜图案；形成硅纳米线阵列结构；在所述多层堆叠的硅纳米线上形成牺牲氧化层，然后去除牺牲氧化层；在所述P型MOSFET区域的所述多层堆叠的硅纳米线上进行选择SiGe外延和浓缩氧化,去氧化层；及在所述纳米线阵列结构处依次形成界面氧化物层，铁电材料栅介质叠层以及金属栅叠层。该场效应管不仅由于环栅结构大大加强了栅控能力，还由于PMOSFET SiGe纳米线及SiGe源/漏大大提高了空穴迁移率，特别是由于集成了铁电负电容效应，使器件沟道表面电势得到放大，从而使纳米线器件具有超陡的亚阈值斜率和提高的开/关电流比。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应管 牺牲氧化层 硅纳米线 堆叠 多层 纳米线阵列结构 硅纳米线阵列 界面氧化物层 空穴迁移率 纳米线器件 亚阈值斜率 硬掩膜图案 栅介质叠层 表面电势 电容效应 环栅结构 器件沟道 区域形成 去氧化层 铁电材料 电流比 金属栅 衬底 叠层 铁电 去除 制作 放大 浓缩 | ||
【主权项】：
1.一种场效应管的制作方法，包括：在衬底上形成N型MOSFET区域和P型MOSFET区域，所述MOSFET区域由浅沟槽隔离区分隔开；在所述MOSFET区域形成硬掩膜图案；形成硅纳米线阵列结构，所述硅纳米线阵列结构包括多层堆叠的硅纳米线；在所述多层堆叠的硅纳米线上形成牺牲氧化层，以调控纳米线的尺寸及形状，然后去除牺牲氧化层，得到Si纳米线阵列结构；在所述P型MOSFET区域的所述多层堆叠的硅纳米线上进行SiGe选择外延生长和浓缩氧化，去氧化层后得到SiGe纳米线阵列结构；以及在所述Si纳米线(NMOSFET区域)和SiGe纳米线(PMOSFET区域)阵列结构处依次形成界面氧化物层，铁电材料栅介质叠层以及金属栅叠层；其中，所述硅纳米线阵列结构采用重复交替使用各向异性和各向同性等离子体刻蚀在所述MOSFET区域形成，所述金属栅叠层包裹所述铁电材料栅介质叠层，包括第一金属栅层和第二金属栅层。
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