[发明专利]半导体存储元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201910203164.7 | 申请日： | 2019-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN111725213B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 洪文;廖祐楷;陈江宏 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/30 | 分类号： | H10B43/30;H10B41/30 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 罗英;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储元件及其制造方法，所述半导体存储元件包括：基底、隔离结构、第一栅介电层、第一导体层、第二栅介电层、第二导体层以及保护层。基底具有阵列区与周边区。隔离结构配置在阵列区与周边区之间的基底中。第一栅介电层配置在阵列区的基底上。第一导体层配置在第一栅介电层上。第二栅介电层配置在周边区的基底上。第二导体层配置在第二栅介电层上。第二导体层延伸覆盖隔离结构的部分顶面。保护层配置在第二导体层与隔离结构之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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