[发明专利]在多模式脉冲处理中检测处理点的系统和方法有效
| 申请号： | 201910203268.8 | 申请日： | 2015-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN110246743B | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 亚辛·卡布兹;豪尔赫·卢克;安德鲁·D·贝利三世;穆罕默德·德里亚·特蒂克;拉姆库马尔·苏布拉马尼安;山口阳子 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及在多模式脉冲处理中检测处理点的系统和方法。一种识别在多模式脉冲处理中选择的处理点的系统和方法，其包含向等离子体处理室中选择的晶片施加多模式脉冲处理，所述多模式脉冲处理包含多个周期，这些周期中的每一个至少包含多个不同阶段中的一个。在对选择的晶片的多个周期期间，对于选择的至少一个阶段收集至少一个处理输出变量。收集的至少一个处理输出变量的包络和/或模板能够被用于识别选择的处理点。对于先前阶段的收集的处理输出变量的第一轨道能够与选择的阶段的处理输出变量的第二轨道比较。能够计算和使用第二轨道的多变量分析统计以识别选择的处理点。 | ||
| 搜索关键词： | 模式 脉冲 处理 检测 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：向等离子体处理室中的一个或多个晶片施加多模式脉冲处理，所述多模脉冲处理包括多个周期；在所述一个或多个晶片的多个周期期间收集至少一个处理输出变量；将所述多模式脉冲处理施加于所述等离子体处理室中的选定晶片；在所述选定的晶片的所述多模脉冲处理的多个周期期间收集至少一个处理输出变量；将通过施加所述多模式脉冲处理至所述一个或多个晶片所收集的所述至少一个处理输出变量的第一轨道与通过施加所述多模式脉冲处理至所述选定的晶片所收集的所述至少一个处理输出变量的第二轨道进行比较；计算从所述第一轨道上的点到所述第二轨道上的点的距离；和基于所述距离确定所述选定的晶片的所述多模式脉冲处理的端点是否到达，其中当所述距离是所述第一轨道上的多个点与所述第二轨道上的多个点之间的多个距离的最小距离时到达所述端点。
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