[发明专利]一种具有p型导电性的四方相BiVO4薄膜的制备方法及所得产品和应用

摘要

本发明公开了一种具有p型导电性的四方相BiVO4薄膜的制备方法及所得产品和应用，其步骤为：将可溶性铋盐和可溶性钒盐先分别配成溶液；将铋盐溶液和钒盐溶液混合，调节pH至酸性，将FTO玻璃浸入到所得溶液中，移至反应釜进行水热反应，得到产品。本发明采用水热法首次合成出了具有p型导电性的四方相BiVO4薄膜，该方法制备工艺简单，合成条件易于控制，所得BiVO4薄膜为四方锆石晶相，具有p型导电性，形貌新颖、单一，微观形貌重复性好，并且结晶性好、稳定性良好，作为光阴极在不加外电压的情况下可实现光分解水产氢，具有广阔的应用前景。

主权项

1.一种具有p型导电性的四方相BiVO₄薄膜的制备方法，其特征是包括以下步骤：（1）将可溶性铋盐、络合剂和硝酸溶液混合，配成透明溶液A；（2）将可溶性钒盐和氢氧化钠溶液混合，配成透明溶液B；或者将可溶性钒盐、络合剂和氢氧化钠溶液混合，配成透明溶液B；（3）将透明溶液A和透明溶液B混合，混合均匀后调节pH至酸性，得到溶液C；（4）将FTO玻璃浸入到溶液C中，然后将含有FTO玻璃的溶液C移至反应釜进行水热反应，反应后在FTO玻璃上形成具有p型导电性的四方相BiVO₄薄膜。