[发明专利]无界面层的ZrO2基反铁电存储器在审
| 申请号： | 201910205699.8 | 申请日： | 2019-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN109920848A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 韩根全;刘欢;刘艳;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/78;H01L27/115;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无界面层ZrO2基反铁电存储器，主要解决现有存储器存在的唤醒效应、印刻效应和极化疲劳而导致的保持特性较差的问题。其自下而上包括衬底(1)、栅介质层(2)、栅电极(3)；衬底(1)两边设有源电极(4)和漏电极(5)；其特征在于：栅介质层(2)采用ZrO2基反铁电材料，以消除唤醒效应、印刻效应和极化疲劳。本发明可达到10ns级别的写入速度，具有长达十年以上的保持特性，能获得更好的耐久特性，且与CMOS工艺具有很好的兼容性，可用于非易失性存储设备。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 反铁电 无界面层 印刻效应 栅介质层 极化 衬底 唤醒 疲劳 非易失性存储设备 耐久特性 兼容性 漏电极 源电极 栅电极 可用 写入 两边 | ||
【主权项】：
1.一种无界面层ZrO2基反铁电存储器，自下而上包括衬底(1)、栅介质层(2)、栅电极(3)、源电极(4)和漏电极(5)，该源、漏电极位于衬底(1)的两边，其特征在于：栅介质层(2)采用无掺杂ZrO2材料，以避免唤醒效应、印刻效应和极化疲劳。
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