[发明专利]一种提升太阳电池中多晶硅钝化接触结构钝化性能的方法在审
| 申请号： | 201910205994.3 | 申请日： | 2019-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN111725350A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 曾俞衡;闫宝杰;叶继春;张志;黄玉清;廖明墩;郭雪琪;杨清;王志学 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 宁波甬致专利代理有限公司 33228 | 代理人： | 张鸿飞 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳电池技术领域，具体讲是一种提升太阳电池中多晶硅钝化接触结构钝化性能的方法，本发明公开了一种提升太阳电池中多晶硅钝化接触结构钝化性能的方法，包括以下步骤：将多晶硅钝化接触结构在含水蒸气气氛下进行中低温热处理；本发明对不同钝化水平的TOPCon钝化片都有提升作用；处理方法多样化，工艺窗口大，重复性强，所需设备简单，其工艺完全适用于TOPCon电池的背钝化。经过上述方法处理后，基本上能够将n‑TOPCon的iVoc显著提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 太阳电池 多晶 钝化 接触 结构 性能 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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