[发明专利]利用增强源技术进行磷或砷离子植入

摘要

本申请涉及利用增强源技术进行磷或砷离子植入。本发明描述使用固体掺杂剂磷及砷源及较高阶磷或砷植入源材料的设备及方法。在各种实施方案中，在离子源室中提供固体含磷或含砷材料以用于产生二聚物或四聚物植入物质。在其它实施方案中，通过使用反应器来分解气态含磷或含砷材料以形成用于离子植入的气相二聚物及四聚物而增强离子植入。

主权项

1.一种离子植入系统，其包括：离子植入机，其包括离子源室；及气体供应组合件，其包括经布置以将气体混合物供应到所述离子植入机的一或多个气体供应器皿，其中所述气体混合物包括(i)到(viii)中的一个：(i)PH₃及PF₃，其中基于所述气体混合物的总体积，PH₃的浓度按体积计介于从40％到60％的范围内；(ii)PH₃及PF₅，其中基于所述气体混合物的总体积，PH₃的浓度按体积计介于从50％到75％的范围内；(iii)PF_X及H₂，其中x具有任一化学计量可接受值，且其中基于所述气体混合物的总体积，H₂的浓度按体积计不超过50％；(iv)PF_X、PH₃、H₂及惰性气体，其中x具有任一化学计量可接受值；(v)AsH₃及AsF₃，其中基于所述气体混合物的总体积，AsH₃的浓度按体积计介于从40％到60％的范围内；(vi)AsH₃及AsF₅，其中基于所述气体混合物的总体积，AsH₃的浓度按体积计介于从50％到75％的范围内；(vii)AsF_x及H₂，其中x具有任一化学计量可接受值，且其中基于所述气体混合物的总体积，H₂的浓度按体积计不超过50％；及(viii)AsF_x、AsH₃、H₂及惰性气体，其中x具有任一化学计量可接受值。