[发明专利]形成半导体装置的方法

摘要

本申请提供一种形成半导体装置的方法，包括提供基板，其包括材料层及硬掩模层；图案化硬掩模层以形成硬掩模线；在基板上形成间隔物层，包括在掩模幕线之上，使得间隔物层定义出多个沟槽，其中沟槽沿着硬掩模线；在间隔物层上形成抗反射层，包括在沟槽之上；在抗反射层中形成L形开口，借以暴露至少两个沟槽；以填充材料填充L形开口；蚀刻间隔物层以暴露硬掩模线；去除硬掩模线；在去除硬掩模线之后，转移间隔物层和填充材料的图案到材料层上，使得第二沟槽沿着图案；以及以导电材料填充第二沟槽。

主权项

1.一种形成半导体装置的方法，其特征在于，包括：/n提供一工作件，所述工作件具有一基板、一材料层于所述基板上、以及一硬掩模层于所述材料层上；/n图案化所述硬掩模层以形成多个第一硬掩模线；/n形成一间隔物材料层于所述多个第一硬掩模线之上，使得所述间隔物材料层定义出多个第二沟槽，其中所述多个第二沟槽沿着所述多个第一硬掩模线；/n形成一抗反射层于所述间隔物材料层之上，包括在所述多个第二沟槽之上；/n在所述抗反射层中形成一L形开口，借以暴露至少两个以上的所述多个第二沟槽；/n以一填充材料填充所述L形开口；/n蚀刻所述间隔物材料层以暴露所述多个第一硬掩模线；/n去除所述多个第一硬掩模线；/n在移除所述多个第一硬掩模线之后，转移所述间隔物材料层和所述填充材料的一图案到所述材料层上，得到多个沿着所述图案的沟槽；以及/n以一导电材料填充所述多个沟槽。/n