[发明专利]一种高压薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201910208980.7 | 申请日： | 2019-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN109935637A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 霍文星;梅增霞;梁会力;杜小龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京慧诚智道知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11539 | 代理人： | 李楠 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压薄膜晶体管，所述高压薄膜晶体管包括：衬底、源电极、漏电极、高电阻率沟道层、低电阻率沟道层、栅绝缘层和栅电极；在所述高压薄膜晶体管的纵向结构上，所述低电阻率沟道层位于高电阻率沟道层与栅绝缘层之间；所述高电阻率沟道层位于低电阻率沟道层与源电极、漏电极所在平面之间；在所述高压薄膜晶体管的横向结构上，所述栅电极与所述漏电极之间具有横向偏置，或者所述栅电极与所述漏电极和所述源电极之间均具有横向偏置；所述低电阻率沟道层的载流子浓度为1×1018cm‑3至1×1020cm‑3，载流子迁移率为1cm2/V·s至100cm2/V·s，电阻率为1×10‑4Ω·cm至10Ω·cm；所述高电阻率沟道层的载流子浓度为1×1012cm‑3至1×1017cm‑3，载流子迁移率为1cm2/V·s至100cm2/V·s，电阻率为100Ω·cm至105Ω·cm。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道层 高压薄膜 晶体管 低电阻率 高电阻率 漏电极 源电极 栅电极 载流子 载流子迁移率 栅绝缘层 电阻率 偏置 横向结构 所在平面 纵向结构 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种高压薄膜晶体管，其特征在于，所述高压薄膜晶体管包括：衬底、源电极、漏电极、高电阻率沟道层、低电阻率沟道层、栅绝缘层和栅电极；在所述高压薄膜晶体管的纵向结构上，所述低电阻率沟道层位于高电阻率沟道层与栅绝缘层之间；所述高电阻率沟道层位于低电阻率沟道层与源电极、漏电极所在平面之间；在所述高压薄膜晶体管的横向结构上，所述栅电极与所述漏电极之间具有横向偏置，或者所述栅电极与所述漏电极和所述源电极之间均具有横向偏置offset；所述低电阻率沟道层的载流子浓度为1×1018cm‑3至1×1020cm‑3，载流子迁移率为1cm2/V·s至100cm2/V·s，电阻率为1×10‑4Ω·cm至10Ω·cm；所述高电阻率沟道层的载流子浓度为1×1012cm‑3至1×1017cm‑3，载流子迁移率为1cm2/V·s至100cm2/V·s，电阻率为100Ω·cm至105Ω·cm。
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