[发明专利]一种降低n型AlGaN系材料的接触电阻的方法及其应用有效
| 申请号： | 201910209262.1 | 申请日： | 2019-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN110021690B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 许福军;沈波;张娜;康香宁;秦志新;于彤军;吴洁君 | 申请（专利权）人： | 北京中博芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/00;H01L21/324;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王文君;黄爽 |
| 地址： | 101300 北京市顺*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种降低n型AlGaN系材料的接触电阻的方法及其应用。所述降低n型AlGaN系材料的接触电阻的方法，包括：先通过刻蚀去除1/5‑1/2深度的n‑AlGaN层，再对刻蚀后的n‑AlGaN层表面进行高温处理。所述方法解决了现有高Al组分n‑AlGaN材料的欧姆接触问题，显著降低高Al组分n‑AlGaN材料的接触电阻，提高了材料的电学性能，由其制得的相关器件的工作电压可大幅降低，大大减少了器件的散热，进一步提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 algan 材料 接触 电阻 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种降低n型AlGaN系材料的接触电阻的方法，其特征在于，包括：先通过刻蚀去除1/5‑1/2深度的n‑AlGaN层，再对刻蚀后的n‑AlGaN层表面进行高温处理。
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