[发明专利]多晶硅薄膜晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201910210570.6 | 申请日： | 2019-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN109920731B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 沈思杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多晶硅薄膜晶体管及其制作方法，包括：提供一衬底，在衬底上形成多晶硅有源层，在多晶硅有源层上依次形成栅绝缘层和多晶硅栅极层；执行化学机械抛光工艺，去除多晶硅栅极层上方的部分厚度的侧墙覆盖层；执行第一次离子注入工艺向多晶硅栅极层注入离子；执行第二次离子注入工艺向所述多晶硅栅极层和位于所述侧墙两侧的所述多晶硅有源层中注入离子，形成源极掺杂区和漏极掺杂区。在确保多晶硅栅极层的离子注入剂量不减少的条件下，通过减少源极掺杂区和漏极掺杂区的离子注入剂量，来减少源漏耗尽区交迭，从而防止源、漏穿通；同时确保了多晶硅栅极层的离子注入剂量，避免了薄膜晶体管的阈值电压漂移，有利于改善多晶硅薄膜晶体管的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有多晶硅有源层；在所述多晶硅有源层上依次形成栅绝缘层和多晶硅栅极层；形成覆盖所述栅绝缘层和所述多晶硅栅极层的侧墙覆盖层；执行化学机械抛光工艺，去除所述多晶硅栅极层上方的部分厚度的所述侧墙覆盖层；执行第一次离子注入工艺向所述多晶硅栅极层注入离子；刻蚀去除位于所述多晶硅栅极层两侧的部分侧墙覆盖层以形成侧墙；执行第二次离子注入工艺向所述多晶硅栅极层和位于所述侧墙两侧的所述多晶硅有源层中注入离子，形成源极掺杂区和漏极掺杂区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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