[发明专利]ONO介质层的形成方法在审
| 申请号： | 201910210573.X | 申请日： | 2019-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN109904069A | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 张怡;沈思杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种ONO介质层的形成方法。首先，提供衬底，所述衬底表面形成有隧穿氧化层以及位于隧穿氧化层之上的浮栅层，在所述浮栅层上形成底层氧化物层，在所述底层氧化物层上形成中间氮化物层，然后，采用ISSG氧化方法在所述中间氮化硅层上形成顶层氧化物层。相比于现有工艺，本发明提供的ONO介质层的形成方法，可减少一步炉管工艺，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 底层氧化物 隧穿氧化层 浮栅层 中间氮化硅层 中间氮化物 衬底表面 氧化物层 顶层 衬底 炉管 | ||
【主权项】：
1.一种ONO介质层的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有隧穿氧化层以及位于隧穿氧化层之上的浮栅层；在所述浮栅层上形成底层氧化物层；在所述底层氧化物层上形成中间氮化物层；以及在所述中间氮化硅层上形成顶层氧化物层，其中，所述顶层氧化物层是在H2和O2的气体环境中以ISSG氧化方法形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
