[发明专利]使用注入防止金属损失有效
| 申请号： | 201910211336.5 | 申请日： | 2019-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN110556360B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 吴历杰;张棠贵;魏国修;陈科维;王英郎;刘书豪;陈国儒;陈亮吟;张惠政;张庭魁;李佳璇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了用于在不使用粘合层或阻挡层的情况下在介电层中形成导电部件的方法以及由其形成的器件。在一些实施例中，结构包括位于衬底上方的介电层以及设置为穿过介电层的导电部件。介电层具有靠近衬底的下表面和远离衬底的顶面。导电部件与介电层直接接触，并且介电层包括注入物质。介电层中的注入物质的浓度在介电层的顶面附近具有峰值浓度，并且注入物质的浓度在朝向介电层的下表面的方向上从峰值浓度降低。本发明的实施例还涉及使用注入防止金属损失。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 注入 防止 金属 损失 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：/n介电层，位于衬底上方，其中，所述介电层具有靠近所述衬底的下表面和远离所述衬底的顶面；以及/n导电部件，设置为穿过所述介电层，其中，所述导电部件与所述介电层直接接触，并且所述介电层包括注入物质，所述介电层中的注入物质的浓度在所述介电层的顶面附近具有峰值浓度，并且所述注入物质的浓度在朝向所述介电层的下表面的方向上从所述峰值浓度降低。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910211336.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种位线结构及半导体存储器
- 下一篇：半导体装置
