[发明专利]半导体激光器TO管座底板半孔钎焊工艺有效

专利信息
申请号: 201910212063.6 申请日: 2019-03-20
公开(公告)号: CN109848500B 公开(公告)日: 2020-12-11
发明(设计)人: 刘玉堂 申请(专利权)人: 无锡市博精电子有限公司
主分类号: B23K1/008 分类号: B23K1/008
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 214000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明属于TO管座制备方法的技术领域,涉及一种半导体激光器TO管座底板半孔钎焊工艺,其包括开启烧结炉、设定炉温、炉温计量、开启氮气、启动履带、开启冷却水、炉前初检、空炉烧结、烧结、出炉等步骤;本发明具有在开始烧结管座之前使烧结炉内各区域的温度分布均匀,并将烧结炉内原有的空气完全排出,从而保证管座的烧结质量,降低次品率的效果。
搜索关键词: 半导体激光器 to 底板 钎焊 工艺
【主权项】:
1.一种半导体激光器TO管座底板半孔钎焊工艺,其特征在于:具体步骤如下:S1:开启烧结炉电源开关,并设定炉温,所述烧结炉为链式烧结炉;S2:炉温计量,采用标准K型热电偶分度表对烧结炉内各区域的温度进行测量,由烧结炉上的温度仪表显示,并与预设值对比;S3:开启氮气,氮气由炉膛中部排入,由进炉口和出炉口排出,且烧结过程中炉膛处的氮气流速为55~70m3/h;S4:启动履带,并开启冷却水对履带进行冷却,履带的行进速度为7~9cm/分;S5:在履带上排装未盛装管座的空石墨模具,空炉启动烧结;S6:送入装有管座的石墨模具,压上压板,进行烧结。
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