[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910212232.6 | 申请日： | 2019-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN110323279A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 宇田和也 | 申请（专利权）人： | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;王秀辉 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置，具备能够减轻局部的电场的集中，并且抑制微小漏电流所引起的缺陷的产生，使耐压提高的高耐压半导体元件结构。包括：半导体基板；第一导电型的源极区域，其形成在半导体基板的一个主面内；第一导电型的漏极区域，其形成在一个主面内并且经由沟道区域与上述源极区域连接；栅极电极，其隔着绝缘膜形成在沟道区域上；第一导电型的漂移层，其形成在栅极电极的下部与漏极区域之间；槽部，其形成为具备开口并且从一个主面以预先决定于半导体基板的深度纵贯上述漂移层，该开口在栅极电极的下部具有一端，并在与漏极区域接触的位置具有另一端；以及电场缓和部，其设置在一端的附近并且使在源极区域与漏极区域之间产生的电场缓和。 | ||
| 搜索关键词： | 漏极区域 半导体基板 源极区域 栅极电极 导电型 主面 半导体装置 沟道区域 漂移层 开口 高耐压半导体元件 电场缓和部 电场 电场缓和 绝缘膜 漏电流 槽部 耐压 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中，包含：半导体基板；第一导电型的源极区域，其形成在上述半导体基板的一个主面内；第一导电型的漏极区域，其形成在上述一个主面内并且经由沟道区域与上述源极区域连接；栅极电极，其隔着绝缘膜形成在上述沟道区域上；第一导电型的漂移层，其形成在从上述栅极电极的下部到上述漏极区域之间的上述一个主面内；槽部，其形成为具备开口并且从上述一个主面以预先决定于上述半导体基板的深度纵贯上述漂移层，上述开口在上述栅极电极的下部具有一端，并在与上述漏极区域接触的位置具有另一端；以及电场缓和部，其设置在上述一端的附近并且使在上述源极区域与漏极区域之间产生的电场缓和。
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