[发明专利]基于空间密度分析的半导体晶片的引导检查有效

专利信息
申请号: 201910212376.1 申请日: 2019-03-20
公开(公告)号: CN110310897B 公开(公告)日: 2022-12-13
发明(设计)人: 亚利尔·赫斯霍恩;约塔姆·索弗 申请(专利权)人: 应用材料以色列公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L23/544
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;赵静
地址: 以色列*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 可以识别已经由审查工具审查的半导体晶片处的样本。此外,可以识别未经审查工具审查的半导体晶片处的候选样本。可以确定候选样本在半导体晶片处的位置,并且可以确定在与候选样本的位置邻近的位置处的已被审查的样本的数量。可以基于在与候选样本的位置邻近的位置处的多个样本的数量来选择候选样本以供审查工具审查。
搜索关键词: 基于 空间 密度 分析 半导体 晶片 引导 检查
【主权项】:
1.一种系统,包括:存储器;和处理装置,与所述存储器可操作地耦合,用于:识别已经由审查工具审查的半导体晶片处的多个样本;识别未经所述审查工具审查的所述半导体晶片处的候选样本;确定所述候选样本在所述半导体晶片处的位置;确定在与所述候选样本的所述位置邻近的位置处的已经审查的所述多个样本的数量;和基于在与所述候选样本的位置邻近的位置处的所述多个样本的所述数量来选择所述候选样本以供所述审查工具审查。
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