[发明专利]R-T-B系烧结磁铁有效
申请号: | 201910213095.8 | 申请日: | 2019-03-20 |
公开(公告)号: | CN110299237B | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 工藤光;三轮将史 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | H01F1/057 | 分类号: | H01F1/057 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;陈明霞 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
烧结磁铁含有稀土元素R(例如Nd及Pr)、过渡金属元素T(例如Fe及Co)、B、Cu及Ga,烧结磁铁具备:多个主相颗粒(R |
||
搜索关键词: | 烧结 磁铁 | ||
【主权项】:
1.一种R‑T‑B系烧结磁铁,其中,所述R‑T‑B系烧结磁铁含有稀土元素R、过渡金属元素T、B、Cu及Ga,所述R‑T‑B系烧结磁铁中,作为R含有Nd及Pr中的至少一种,所述R‑T‑B系烧结磁铁中,作为T含有Fe及Co中的至少Fe,所述R‑T‑B系烧结磁铁具备:含有R2T14B的结晶的多个主相颗粒、和多个作为被至少三个所述主相颗粒包围的晶界相的晶界多重点,多个所述晶界多重点被分类为富过渡金属相及富R相的至少两个相,所述富R相被分类为贫Cu相及富Cu相的至少两个相,所述富过渡金属相是含有R、T及Ga,且满足下述式T1的相,所述富R相是满足下述式R1及式R2的相,所述贫Cu相是满足下述式C1的相,所述富Cu相是满足下述式C2的相,所述富过渡金属相、所述贫Cu相、及所述富Cu相满足下述式1,所述贫Cu相及所述富Cu相满足下述式2,1.50≤([Fe]+[Co])/[R]≤3.00……(T1)0.00≤([Fe]+[Co])/[R]<1.50……(R1)0.00≤[O]/[R]<0.35……(R2)0.00≤[Cu]/[R]<0.25……(C1)0.25≤[Cu]/[R]≤1.00……(C2)所述式T1及所述式R1中的[Fe]是所述晶界多重点中的Fe的浓度,所述式T1及所述式R1中的[Co]是所述晶界多重点中的Co的浓度,所述式T1、所述式R1、所述式R2、所述式C1及所述式C2中的[R]是所述晶界多重点中的R的浓度,所述式R2中的[O]是所述晶界多重点中的O的浓度,所述式C1及所述式C2中的[Cu]是所述晶界多重点中的Cu的浓度,[Fe]、[Co]、[R]、[O]及[Cu]各自的单位是原子%,0.30≤N1/(N1+N2+N3)≤0.60……(1)0.03≤N3/N2≤0.20……(2)所述式1中的N1是处于所述R‑T‑B系烧结磁铁的截面的所述多个晶界多重点中的所述富过渡金属相的个数,所述式1及所述式2中的N2是处于所述R‑T‑B系烧结磁铁的截面的所述多个晶界多重点中的所述贫Cu相的个数,所述式1及所述式2中的N3是处于所述R‑T‑B系烧结磁铁的截面的所述多个晶界多重点中的所述富Cu相的个数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社,未经TDK株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910213095.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:R-T-B系烧结磁体的制造方法
- 下一篇:R-T-B系烧结磁体的制造方法