[发明专利]R-T-B系烧结磁铁有效

专利信息
申请号: 201910213095.8 申请日: 2019-03-20
公开(公告)号: CN110299237B 公开(公告)日: 2021-02-09
发明(设计)人: 工藤光;三轮将史 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: H01F1/057 分类号: H01F1/057
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦;陈明霞
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 烧结磁铁含有稀土元素R(例如Nd及Pr)、过渡金属元素T(例如Fe及Co)、B、Cu及Ga,烧结磁铁具备:多个主相颗粒(R2T14B的结晶颗粒)、和被三个以上的主相颗粒包围的多个晶界多重点,多个晶界多重点被分类为富过渡金属相(例如R6T13Ga)及富R相,富R相被分类为贫Cu相及富Cu相,在烧结磁铁的截面中满足下式1及2。N1为富过渡金属相的个数,N2为贫Cu相的个数,N3为富Cu相的个数。0.30≤N1/(N1+N2+N3)≤0.60……(1)0.03≤N3/N2≤0.20……(2)。
搜索关键词: 烧结 磁铁
【主权项】:
1.一种R‑T‑B系烧结磁铁,其中,所述R‑T‑B系烧结磁铁含有稀土元素R、过渡金属元素T、B、Cu及Ga,所述R‑T‑B系烧结磁铁中,作为R含有Nd及Pr中的至少一种,所述R‑T‑B系烧结磁铁中,作为T含有Fe及Co中的至少Fe,所述R‑T‑B系烧结磁铁具备:含有R2T14B的结晶的多个主相颗粒、和多个作为被至少三个所述主相颗粒包围的晶界相的晶界多重点,多个所述晶界多重点被分类为富过渡金属相及富R相的至少两个相,所述富R相被分类为贫Cu相及富Cu相的至少两个相,所述富过渡金属相是含有R、T及Ga,且满足下述式T1的相,所述富R相是满足下述式R1及式R2的相,所述贫Cu相是满足下述式C1的相,所述富Cu相是满足下述式C2的相,所述富过渡金属相、所述贫Cu相、及所述富Cu相满足下述式1,所述贫Cu相及所述富Cu相满足下述式2,1.50≤([Fe]+[Co])/[R]≤3.00……(T1)0.00≤([Fe]+[Co])/[R]<1.50……(R1)0.00≤[O]/[R]<0.35……(R2)0.00≤[Cu]/[R]<0.25……(C1)0.25≤[Cu]/[R]≤1.00……(C2)所述式T1及所述式R1中的[Fe]是所述晶界多重点中的Fe的浓度,所述式T1及所述式R1中的[Co]是所述晶界多重点中的Co的浓度,所述式T1、所述式R1、所述式R2、所述式C1及所述式C2中的[R]是所述晶界多重点中的R的浓度,所述式R2中的[O]是所述晶界多重点中的O的浓度,所述式C1及所述式C2中的[Cu]是所述晶界多重点中的Cu的浓度,[Fe]、[Co]、[R]、[O]及[Cu]各自的单位是原子%,0.30≤N1/(N1+N2+N3)≤0.60……(1)0.03≤N3/N2≤0.20……(2)所述式1中的N1是处于所述R‑T‑B系烧结磁铁的截面的所述多个晶界多重点中的所述富过渡金属相的个数,所述式1及所述式2中的N2是处于所述R‑T‑B系烧结磁铁的截面的所述多个晶界多重点中的所述贫Cu相的个数,所述式1及所述式2中的N3是处于所述R‑T‑B系烧结磁铁的截面的所述多个晶界多重点中的所述富Cu相的个数。
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