[发明专利]一种半导体结构的制作方法在审
| 申请号： | 201910213178.7 | 申请日： | 2019-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN109950161A | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 王海宽;沈新林;吴龙江;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 刘星 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构的制作方法，包括以下步骤：提供一待键合片，所述待键合片中设有键合焊盘，所述键合焊盘自所述待键合片的上表面起始，并往所述待键合片的下表面方向延伸；形成一硬掩膜层于所述键合焊盘的顶面；以所述硬掩膜层为掩膜对所述待键合片进行刻蚀，使所述键合焊盘的至少一部分凸出于所述待键合片的上表面；去除所述硬掩膜层；对所述键合焊盘的顶面进行研磨。本发明在常规的化学机械抛光之后，对待键合片进行刻蚀，使得键合焊盘的至少一部分凸出于待键合片的上表面，然后对键合焊盘的顶面进行研磨，使得键合焊盘顶面的碟形缺陷厚度减小，形貌更为平坦，从而提升键合强度，使得键合焊盘之间的接触更加完全，有利于提升键合良率。 | ||
| 搜索关键词： | 键合焊盘 键合片 硬掩膜层 上表面 顶面 键合 半导体结构 研磨 刻蚀 化学机械抛光 形貌 碟形缺陷 方向延伸 厚度减小 常规的 下表面 良率 去除 掩膜 制作 平坦 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一待键合片，所述待键合片中设有键合焊盘，所述键合焊盘自所述待键合片的上表面起始，并往所述待键合片的下表面方向延伸；形成一硬掩膜层于所述键合焊盘的顶面；以所述硬掩膜层为掩膜对所述待键合片进行刻蚀，使所述键合焊盘的至少一部分凸出于所述待键合片的上表面；去除所述硬掩膜层；对所述键合焊盘的顶面进行研磨。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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