[发明专利]一种半导体返工方法在审
| 申请号： | 201910213266.7 | 申请日： | 2019-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN111725056A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 胡咏兵 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/26 | 分类号： | H01L21/26;H01L21/306;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体返工方法，所述方法包括以下步骤：(1)提供刻蚀工艺后的不合格半导体，用紫外灯照射；(2)对步骤(1)处理后的半导体进行碱制绒；(3)对步骤(2)处理后的半导体进行清洗，然后进行后续工艺制成成品。本发明结合紫外光辐照和碱制绒对刻蚀工艺后的不合格半导体处理并清洗后，继续进行后续工艺制成成品，实现了刻蚀工艺后的不合格半导体的重新利用，并且使得刻蚀工艺后的不合格半导体的返工处理的合格率达到了90％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 返工 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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