[发明专利]苯并脂环族二酐及低介电常数聚酰亚胺前体薄膜在审
| 申请号： | 201910213518.6 | 申请日： | 2019-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN109912615A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 曹春;李伟杰;周光大;林建华 | 申请（专利权）人： | 浙江福斯特新材料研究院有限公司 |
| 主分类号： | C07D493/04 | 分类号： | C07D493/04;C08L79/08;C08G73/10;C08J5/18 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 邱启旺 |
| 地址： | 311305 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种苯并脂环族二酐及低介电常数聚酰亚胺前体薄膜，本发明首先将二胺充分溶解于非质子性极性溶剂中，之后加入苯并脂环族二酐，并在氮气或惰性气体的保护下于‑10～35℃范围内反应0.5‑5h，得聚酰亚胺前体溶液，然后将聚酰亚胺前体溶液涂布于基材上，酰亚胺化并应力消除后，制备得到低介电常数聚酰亚胺前体薄膜。本发明制备的聚酰亚胺薄膜，其介电常数及介电损耗低，吸水率低，且吸水后介电常数和介电损耗仍然较低，此外，还具有优异的热稳定性和力学性能，可以满足5G通信及高频高速电子工业对介电材料的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 聚酰亚胺前体 低介电常数 脂环族二酐 薄膜 聚酰亚胺前体溶液 介电常数 介电损耗 制备 非质子性极性溶剂 氮气 聚酰亚胺薄膜 惰性气体 高频高速 介电材料 力学性能 热稳定性 应力消除 酰亚胺化 吸水率 电子工业 二胺 基材 吸水 溶解 通信 | ||
【主权项】：
1.一种苯并脂环族二酐，其特征在于，它具有如下(1)～(8)所示任意一种结构：![]()
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