[发明专利]辅助掺杂实现常关型GaN HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910215312.7 | 申请日： | 2019-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN109841676A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 刘智崑;万利军;李国强;陈丁波;孙佩椰;阙显沣;姚书南;李润泽 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;江裕强 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了辅助掺杂实现常关型GaN HEMT器件及其制备方法。该方法包括以下步骤：（1）在AlGaN势垒层上光刻栅电极接触窗口；（2）对栅电极接触窗口进行微刻蚀处理；（3）在光刻区域蒸镀金属镁；（4）剥离未曝光的光刻胶；（5）进行热掺杂处理；（6）沉积SiN钝化保护层；（7）采用光刻技术制备源漏栅电极；（8）制备欧姆接触电极、肖特基接触电极，得到GaN HEMT器件。本发明利用感应耦合等离子体刻蚀机对栅电极接触窗口区域进行微刻蚀处理辅助掺杂来实现常关型GaN HEMT器件。该制备方法有辅助掺杂效率高、器件性能稳定可重复的优点，对于实现高阈值电压大饱和电流常关型GaN HEMT器件有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 掺杂 电极接触 微刻蚀 对栅 感应耦合等离子体刻蚀机 欧姆接触电极 钝化保护层 高阈值电压 肖特基接触 饱和电流 窗口区域 光刻技术 器件性能 重要意义 电极 光刻胶 金属镁 可重复 栅电极 上光 光刻 刻栅 源漏 蒸镀 沉积 剥离 曝光 | ||
【主权项】：
1.一种辅助掺杂实现常关型的GaN HEMT器件，其特征在于，包括硅衬底、GaN外延层、AlGaN势垒层、P型AlGaN掺杂层、SiN钝化保护层、源电极、漏电极以及栅电极；所述GaN外延层在硅衬底上，所述AlGaN势垒层在GaN外延层上；所述P型AlGaN掺杂层为金属镁在AlGaN层的上表面向下扩散形成的；所述SiN钝化保护层沉积在P型AlGaN掺杂层上表面以及AlGaN势垒层的上表面；所述源电极和漏电极分别与AlGaN势垒层的上表面两端接触；所述栅电极与沉积在P型AlGaN掺杂层上表面的SiN钝化保护层接触。
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