[发明专利]一种自适应差值电流模的控制电路及其控制方法有效

专利信息
申请号: 201910217323.9 申请日: 2019-03-21
公开(公告)号: CN109921641B 公开(公告)日: 2021-02-12
发明(设计)人: 胡正海;黄九洲;夏炎 申请(专利权)人: 南京芯力微电子有限公司
主分类号: H02M3/158 分类号: H02M3/158;H02M1/088;H02M1/14
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 葛潇敏
地址: 210042 江苏省南京市玄武区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开的一种自适应差值电流模的控制电路及其控制方法,包括:高端功率PMOS管,低端功率NMOS管,反馈电阻R1、R2,自适应误差放大器,采样高端功率PMOS管和低端功率NMOS管电流的电流采样电路,用于比较电流采样电路和误差放大器输出的信号的迟滞比较电路,产生PWM输出信号的PWM控制电路,给高端功率PMOS管和低端功率NMOS管提供驱动信号的功率管Driver电路。本发明可以提高瞬态响应速度,同时简化架构降低功耗,相比于传统的PWM峰值限流控制方法省去振荡器和斜坡补偿电路,可大幅度降低输出电压纹波,并提高系统稳定性。
搜索关键词: 一种 自适应 差值 电流 控制电路 及其 控制 方法
【主权项】:
1.一种自适应差值电流模的控制电路,其特征在于,包括第一电感、电容、第一~第三电阻、高端功率PMOS管、低端功率NMOS管、自适应误差放大器、电流采样电路、迟滞比较器、PWM控制逻辑电路、功率管Driver电路;所述电流采样电路包括第一电流采样电路和第二电流采样电路,所述第一电流采样电路为高端功率PMOS管导通期间电流采样电路,所述第二电流采样电路为低端功率NMOS管导通期间电流采样电路,所述第一电流采样电路包括第一运算放大器;所述第二电流采样电路包括第二运算放大器;所述电容与第三电阻并联后一端接地,另外一端为电路的输出端;第一电阻的一端分别与电路的输出端、高端功率PMOS管的漏极连接,另外一端分别与第二电阻的一端、自适应误差放大器的反相输入端连接;第二电阻的另外一端接地,所述自适应误差放大器的输出端连接迟滞比较器的反相输入端,所述迟滞比较器的同相输入端连接第一运算放大器的输出端和第二运算放大器的输出端;所述第一运算放大器的反相输入端连接低端功率NMOS管的漏极,同相输入端连接高端功率PMOS管的漏极;所述第二运算放大器的同相输入端连接低端功率NMOS管的漏极,反相输入端连接低端功率NMOS管的源极;所述低端功率NMOS管的源极接地,漏极分别与高端功率PMOS管的源极、第一电感的一端连接;所述迟滞比较器的输出端与PWM控制逻辑电路的输入端连接;PWM控制逻辑电路的输出端与功率管Driver电路的输入端连接,功率管Driver电路的输出端分别连接低端功率NMOS管的栅极和低端功率NMOS管的栅极。
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