[发明专利]一种用于MOCVD的基片以及在基片上生长缓冲层的方法

摘要

本发明提供一种用于MOCVD的基片，其特征在于，基片上表面包括中心区域和边缘区域，所述边缘区域环绕所述中心区域，其中中心区域由单晶结构的氧化铝构成，且表面光滑，边缘区域表面粗糙，使得所述基片被送入MOCVD反应腔时，在中心区域生长出单晶结构的缓冲层，边缘区域生长多晶结构的缓冲层。在缓冲层生长过程中，边缘区域多晶结构的缓冲层中出现的裂缝不会沿着晶格结构延伸到中区域单晶结构的缓冲层中，大幅提高的半导体器件生产效率。