[发明专利]SiC基板的研磨方法在审
| 申请号： | 201910220455.7 | 申请日： | 2019-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN110355682A | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 小岛胜义;有福法久;佐藤武志 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B37/28;B24B37/10;B24B57/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 沈娥;褚瑶杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种新的SiC基板的研磨方法，能够同时实现高的研磨效率和充分的平坦性。该SiC基板的研磨方法是使含有磨粒的研磨垫与SiC基板接触而对SiC基板进行研磨的方法，其中，该SiC基板的研磨方法包括下述工序：第1研磨工序，一边向SiC基板与研磨垫接触的区域供给酸性研磨液一边对SiC基板进行研磨；以及第2研磨工序，在第1研磨工序之后，在停止供给酸性研磨液的状态下，一边向该区域仅供给水一边对SiC基板进行研磨。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 研磨垫 研磨液 停止供给 研磨效率 供给水 平坦性 磨粒 | ||
【主权项】：
1.一种SiC基板的研磨方法，其是使含有磨粒的研磨垫与SiC基板接触而对该SiC基板进行研磨的方法，其特征在于，该SiC基板的研磨方法包括下述工序：第1研磨工序，一边向该SiC基板与该研磨垫接触的区域供给酸性研磨液一边对该SiC基板进行研磨；以及第2研磨工序，在该第1研磨工序之后，在停止供给该酸性研磨液的状态下，一边向该区域仅供给水一边对该SiC基板进行研磨。
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