[发明专利]一种沟槽型功率半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910220539.0 | 申请日： | 2019-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN111725306A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 单建安;冯浩 | 申请（专利权）人： | 中山汉臣电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L21/331 |
| 代理公司： | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人： | 袁燕清 |
| 地址： | 528437 广东省中山市火*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种沟槽型功率半导体器件及其制造方法，本发明涉及于功率半导体器件，为解决栅极总线的存在导致器件制造成本提高并增加寄生栅电容的问题，本发明的提供如下的技术方案：在沟槽起始段上方的层间介质层中设栅极接触孔，沟槽内的栅极导电材料通过栅极接触孔与其上方的栅电极金属层相连，并且栅极接触孔的宽度小于沟槽起始段的宽度，且所述沟槽起始段的宽度大于沟槽延伸段的宽度。发明的有益效果在于：本发明的沟槽型功率半导体器件可以在不对器件性能造成负面影响的基础上实现稳定可靠的栅极连接，并通过省略栅极总线板，减少器件的光刻工艺步骤，降低器件的制造成本，同时减小由栅极总线板引入的栅极寄生电容，提升器件的开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 功率 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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