[发明专利]磁阻效应器件

摘要

本发明提供一种磁阻效应器件，其包括MR元件和偏置磁场发生部。MR元件包括一个方向上较长的形状的自由层。偏置磁场发生部包括产生偏置磁场的铁磁性层。铁磁性层包括以包围自由层的外周的方式配置的两个主要部分、第一侧方部分和第二侧方部分。在与自由层的长度方向垂直的任意截面中，第一侧方部分与自由层之间的最短距离、和第二侧方部分与自由层之间的最短距离均为35nm以下。

主权项

1.一种磁阻效应器件，其包括磁阻效应元件和偏置磁场发生部，所述磁阻效应器件的特征在于：所述磁阻效应元件包括自由层，该自由层具有因被施加的磁场而方向能够改变的磁化，所述偏置磁场发生部包括产生能够对所述自由层施加的偏置磁场的铁磁性层，所述自由层具有位于第一方向的两端的第一面和第二面以及连接所述第一面与所述第二面的外周面，所述第一面具有在与所述第一方向正交的第二方向上较长的形状，所述铁磁性层包括一个或两个主要部分、第一侧方部分和第二侧方部分，在通过所述第一面的重心且与所述第一方向和所述第二方向平行的第一截面中，所述一个或两个主要部分位于所述第二方向的所述自由层的一侧或两侧，在通过所述第一面的重心且与所述第二方向垂直的第二截面中，所述第一侧方部分和所述第二侧方部分位于与所述第一方向以及所述第二方向垂直的第三方向的所述自由层的两侧，在所述第二截面中，所述自由层的所述外周面与所述第一侧方部分之间的最短距离、和所述自由层的所述外周面与所述第二侧方部分之间的最短距离为35nm以下。