[发明专利]一种含增益辅助的硅双线系统有效
| 申请号： | 201910221469.0 | 申请日： | 2019-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN109917512B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 史丽娜;陈生琼;谢常青;牛洁斌;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02B6/10 | 分类号： | G02B6/10;G02B6/122 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种含增益辅助的硅双线系统，所述系统包括：二氧化硅衬底层；在所述二氧化硅衬底层上端面按照预设排布周期设置有硅双线组；在所述二氧化硅和所述硅双线组的表面覆盖有嵌入了增益材料的二氧化硅增益层。本发明能够使单晶硅线和外层二氧化硅层中所含有的增益材料产生耦合，并且两根单晶硅线之间也会产生近场耦合，从而极大的增强近场，发射谱和反射谱的谱线宽度也会极大减小，峰值极大增加。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增益 辅助 双线 系统 | ||
【主权项】：
1.一种含增益辅助的硅双线系统，其特征在于，包括：二氧化硅衬底层；在所述二氧化硅衬底层上端面按照预设排布周期设置有硅双线组；在所述二氧化硅和所述硅双线组的表面覆盖有嵌入了增益材料的二氧化硅增益层。
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