[发明专利]碳化硅半导体构件在审
| 申请号： | 201910221793.2 | 申请日： | 2019-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN110299399A | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | R.鲁普;L.维尔哈恩-基利安;B.齐佩柳斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 宣力伟;李雪莹 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 半导体构件（500）具有SiC半导体本体（100）。在所述SiC半导体本体（100）中构造有第一导电型的漂移区（131）和半导体区域（120、140）。从半导体区域（120、140）延伸到漂移区（131）中的屏障结构（180）和栅结构（150）不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体本体 半导体区域 漂移区 碳化硅半导体 半导体构件 屏障结构 导电型 栅结构 延伸 | ||
【主权项】：
1.半导体构件，该半导体构件具有：SiC半导体本体（100），在所述SiC半导体本体中构造有第一导电型的漂移区（131）和半导体区域（120、140）；栅结构（150）；以及屏障结构（180），所述屏障结构从所述半导体区域（120、140）延伸到所述漂移区（131）中，其中所述屏障结构（180）和所述栅结构（150）不同。
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