[发明专利]用于绝缘体上硅的s接触

摘要

公开了用于绝缘体上硅的s接触(s‑contact)。描述了用于使用电阻式结构改善防止电荷注入器件层中的系统、方法和装置。可以使用更简单的制造方法和更少的制造步骤来制作这样的电阻式结构，即s接触部。对于金属氧化物半导体(MOS)场效应晶体管(FET)，可以将s接触部制作成直接连接或电阻式连接至晶体管的所有区，包括源极区、漏极区和栅极。

主权项

1.一种器件，包括：高电阻率半导体衬底，所述高电阻率基于所述半导体衬底的轻微掺杂；覆于所述衬底上的绝缘层；覆于所述绝缘层上的有源层，并且所述有源层包括所述器件的有源区和隔离区；形成在所述有源层的隔离部分中的晶体管，所述晶体管包括漏极区、源极区和栅极沟道区；以及第一导电结构，其将a)漏极接触部或源极接触部以及b)栅极接触部中的一个接触部电阻式连接至所述半导体衬底，所述第一导电结构包括：第一导线，其将a)以及b)中的所述一个接触部连接至第一导电接触部，所述第一导电接触部在所述有源层的位于所述有源层的所述隔离部分外部的区域处延伸穿过所述有源层，并且在所述半导体衬底的具有所述轻微掺杂并且缺乏与所述轻微掺杂不同的掺杂的区域处穿过所述绝缘层以与所述半导体衬底形成直接接触，其中，所述第一导电接触部与所述高电阻率半导体衬底之间的有效接触电阻在0.2至20G欧姆的范围内。