[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201910222300.7 | 申请日： | 2019-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN110310927B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 森本升 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/28 | 分类号： | H01L23/28;H01L23/29 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 得到能够防止从装置端部向装置内部的水分浸入的半导体装置。半导体衬底(1)具有设置有器件的单元区域(2)、以及在单元区域(2)的周围设置的末端区域(3)。第1绝缘膜(7)在末端区域(3)设置于半导体衬底(1)之上，具有多个开口(8b、8c、8d)。多个金属电极(10、11)设置于末端区域(3)，经由多个开口(8b、8c)与半导体衬底(1)连接。与第1绝缘膜(7)相比吸湿率低的第2绝缘膜(12)将第1绝缘膜(7)及多个金属电极(10、11)覆盖。在从多个金属电极(10、11)中的最外周的电极(11)至半导体衬底(1)的端部为止的区域，第2绝缘膜(12)与半导体衬底(1)直接接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体衬底，其具有设置有器件的单元区域、以及在所述单元区域的周围设置的末端区域；第1绝缘膜，其在所述末端区域设置于所述半导体衬底之上，具有多个开口；多个金属电极，它们设置于所述末端区域，经由所述多个开口与所述半导体衬底连接；以及第2绝缘膜，其覆盖所述第1绝缘膜及所述多个金属电极，与所述第1绝缘膜相比吸湿率低，在从所述多个金属电极中的最外周的电极至所述半导体衬底的端部为止的区域，所述第2绝缘膜与所述半导体衬底直接接触。
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