[发明专利]一种在内存中实现汉明距离计算的静态随机存储器电路结构有效
| 申请号： | 201910222494.0 | 申请日： | 2019-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN109979503B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 蔺智挺;欧阳春;吴秀龙;彭春雨;黎轩;卢文娟;谢军;陈崇貌;黎力 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C11/418 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;陈亮 |
| 地址： | 230601 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在内存中实现汉明距离计算的静态随机存储器电路结构，所述电路结构包括N行N列的静态随机存储器SRAM阵列，将待处理的目标二进制数据的原码和反码分别存入到所述SRAM阵列的N列N位存储阵列中，将与之比较的N位二进制数据存储到字线信号WLL中，比较数据的N位二进制数反码存入到字线信号WLR中；通过位线脉冲调制将位线信号减低到VDD‑Vx，防止单元内存储数据翻转；再通过每列中的位线信号BL和BLB放电量之和实现N列汉明距离计算，从而实现N位二进制数据和N位比较数据的汉明距离计算。上述电路结构简单，可以有效提高运算的效率和速度，减少在传输过程消耗的能量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 内存 实现 距离 计算 静态 随机 存储器 电路 结构 | ||
【主权项】：
1.一种在内存中实现汉明距离计算的静态随机存储器电路结构，其特征在于，所述电路结构包括N行N列的静态随机存储器SRAM阵列，在该SRAM阵列的外围包括比较模块、列译码模块、字线脉冲调制模块、行译码模块，其中：所述SRAM阵列与所述比较模块、列译码模块、字线脉冲调制模块和行译码模块相连；所示比较模块与列译码模块相连；所述字线脉冲调制模块与行译码模块相连；所述SRAM阵列中N列N位的存储单元为双字线6T单元，将待处理的目标二进制数据的原码和反码分别存入到所述SRAM阵列的N列N位存储阵列中，将与之比较的N位二进制数据存储到字线信号WLL中，比较数据的N位二进制数反码存入到字线信号WLR中；通过位线脉冲调制将位线信号减低到VDD‑Vx，防止单元内存储数据翻转；再通过每列中的位线信号BL和BLB放电量之和实现N列汉明距离计算，从而实现N位二进制数据和N位比较数据的汉明距离计算。
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