[发明专利]一种N型晶体硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法在审
| 申请号： | 201910222978.5 | 申请日： | 2019-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN109920728A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 马红娜;李锋;史金超;张伟;李桐;张文辉;李拯宇 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/223;H01L31/18 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 秦敏华 |
| 地址： | 071051 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种N型晶体硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法。所述硼扩散方法包括以下步骤：将硼扩散前硅片预氧化处理，以在硅片表面形成氧化层保护层；将预氧化处理后的硅片放入扩散炉内进行硼沉积。本发明提供的硼扩散方法，能有效去除硅片背表面的水印，提升电池的成品合格率和转换效率，转换率约提升0.1％，合格率约提升12％。 | ||
| 搜索关键词： | 硼扩散 晶体硅太阳能电池 预氧化处理 硅片 太阳能电池技术 成品合格率 硅片背表面 硅片表面 转换效率 保护层 扩散炉 氧化层 转换率 水印 沉积 放入 去除 制作 合格率 电池 | ||
【主权项】：
1.一种N型晶体硅片的硼扩散方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将硼扩散前硅片预氧化处理，以在硅片表面形成氧化层保护层；(2)将预氧化处理后的硅片放入扩散炉内进行硼沉积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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