[发明专利]无掺杂的L形隧穿场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910224881.8 | 申请日： | 2019-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN109935631B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 李聪;郭嘉敏;庄奕琪;闫志蕊;刘伟峰;李振荣;汤华莲 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/49;H01L29/51;H01L29/10;H01L29/16;H01L29/739;H01L21/28;H01L21/331 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无掺杂的L形隧穿场效应晶体管及其制备方法，主要解决现有器件关态电流大，双极效应严重和制备成本高的问题，其包括：SOI衬底、异质栅介质层、金属层和导电层；SOI衬底的两侧设有隔离槽；SOI衬底的上表面设有源区、沟道区和漏区；异质栅介质层和金属层位于沟道区的上侧；源区、沟道区和漏区，均采用非掺杂的本征材料；栅介质层采用异质栅介质，且靠近源区一侧采用高K介质材料，靠近漏区一侧采用低K介质材料；金属层设为功函数不同的上下两层，这两层金属之间用二氧化硅隔离。本发明降低了关态电流，抑制了双极效应，节约了制作成本，可用于大规模集成电路的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 形隧穿 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种无掺杂的L形隧穿场效应晶体管，包括：SOI衬底(1)、异质栅介质层(5)、金属层(6)和导电层(8)；SOI衬底(1)的两侧设有隔离槽(2)；SOI衬底(1)的上表面设有源区(3)、沟道区(4)和漏区(7)；异质栅介质层(5)和金属层(6)位于沟道区(4)的上侧，其特征在于：所述源区(3)、沟道区(4)和漏区(7)，均采用非掺杂的本征材料；所述栅介质层(5)，采用异质栅介质结构，且靠近源区一侧采用高K介质材料，靠近漏区一侧采用低K介质材料；所述金属层(6)，设为上下两层，上层采用功函数为5.93eV的金属铂，下层采用功函数低于5.0eV的金属，这两层金属之间用二氧化硅隔离。
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