[发明专利]一种电子封装用阻尼型高导热耐脆断银键合线用材料在审

专利信息
申请号: 201910225073.3 申请日: 2019-03-25
公开(公告)号: CN109763015A 公开(公告)日: 2019-05-17
发明(设计)人: 刘亚军 申请(专利权)人: 杭州辰卓科技有限公司
主分类号: C22C5/06 分类号: C22C5/06;C22C1/03;C22F1/14;C21D9/00;C21D9/52;C22C30/02;C22C30/06;H01L23/49;B21C37/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310006 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种电子封装用阻尼型高导热耐脆断银键合线用材料。按照重量百分比,该合金的成分为:Mn:20.0‑25.0wt.%,In:1.0‑2.0wt.%,Ni:4.0‑5.0wt.%,Cu:15.0‑20.0wt.%,Sc:0.1‑0.2wt.%,Ge:0.5‑0.8wt.%,Zn:2.0‑4.0wt.%,Te:0.1‑0.2wt.%,余量为银。该材料为在振动严重的环境下使用的电子器件提供了一种用于封装的银键合线,可以有效地克服现有银键合线阻尼性能不理想的现状。该材料的实施和产业化不仅可以有效地避免银键合线由于振动带来的疲劳破坏,同时也能获得极大的社会效益的经济效益。
搜索关键词: 键合线 电子封装 高导热 有效地 脆断 重量百分比 电子器件 疲劳破坏 阻尼性能 产业化 封装 合金
【主权项】:
1.一种电子封装用阻尼型高导热耐脆断银键合线用材料;按照重量百分比,该合金的成分为:Mn:20.0‑25.0wt.%,In:1.0‑2.0wt.%,Ni:4.0‑5.0wt.%,Cu:15.0‑20.0wt.%,Sc:0.1‑0.2wt.%,Ge:0.5‑0.8wt.%,Zn:2.0‑4.0wt.%,Te:0.1‑0.2wt.%,余量为银。
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