[发明专利]一种基于氧化钨的P型场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910225445.2 | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN109950321B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 谢伟广;余冰;罗志;卢月恒;赖浩杰;陈科球 | 申请（专利权）人： | 暨南大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈燕娴 |
| 地址： | 510632 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于氧化钨的P型场效应晶体管及其制备方法，采用固态电解质作衬底，在固态电解质衬底上放置掩膜板，预留一器件沟道；然后沉积一层绝缘薄膜；然后取下掩膜板，沉积三氧化钨薄膜；然后重新放置掩膜板，蒸镀源、漏电极；最后在固态电解质背面蒸镀沉积栅电极，形成场效应器件。本发明将三氧化钨作为有源层应用于晶体管，Au作源、漏电极，器件采用真空热蒸镀方法制备，工艺简单，同时将固态电解质作为栅介质，由于电解质极强的长程离子‑电子耦合特性，当栅电极远离沟道区域时，仍能够对沟道的导电性产生极强的调控作用，降低了器件制作过程中的对准要求，得到呈现为P型场效应调制作用的晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化钨 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于氧化钨的P型场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括：提供固态电解质片作为衬底；在所述衬底一表面上沉积暴露出沟道区域的绝缘薄膜；在所述绝缘薄膜上以及所述沟道区域沉积三氧化钨有源层；在所述有源层上蒸镀源、漏电极；在所述衬底的另一表面沉积栅电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于暨南大学，未经暨南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910225445.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：阵列基板和阵列基板的制造方法
- 下一篇：一种顶栅型薄膜晶体管及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
